大趨勢催生(sheng)自主(zhu)功(gong)率“芯片”,大格局(ju)孕育華微飛躍(yue)“坦途”
2016/10/3 | 來自:董事會秘書處高(gao)成(cheng)(cheng)長行(xing)業爆發和(he)自(zi)主可(ke)(ke)控(kong),綜合催生IGBT/智能模(mo)(mo)塊IPM等高(gao)端(duan)(duan)功率半導體(ti)飛速成(cheng)(cheng)長。新能源(yuan)汽(qi)車(che)及其充電設(she)備(bei)對(dui)IGBT類芯(xin)片和(he)模(mo)(mo)塊產品需 求(qiu)(qiu)旺盛(sheng),功率模(mo)(mo)塊成(cheng)(cheng)本占比高(gao)達(da)約10%,僅本土(tu)需求(qiu)(qiu)即達(da)600億元規(gui)模(mo)(mo); 歷史上,公司曾為國家軍工(gong)行(xing)業相關建設(she)提供堅強保障和(he)支撐(cheng),現(xian)今,在(zai) 高(gao)端(duan)(duan)武器裝(zhuang)備(bei)電磁化發展趨勢明(ming)顯(xian)下(xia),國產替代實現(xian)自(zi)主可(ke)(ke)控(kong)已迫(po)在(zai)眉睫; 公司能力已達(da)國際(ji)水平,并具備(bei)稀(xi)缺的"實際(ji)量產落地"能力,預計將依(yi) 托旺盛(sheng)需求(qiu)(qiu),實現(xian)高(gao)附加(jia)值產品放量,盈利水平將獲得快(kuai)速提升(sheng)。
第(di)三(san)(san)代(dai)功率(lv)器(qi)件(jian)迎巨大潛在市(shi)場(chang),公司(si)具備迎接新機遇的充足主客觀(guan)條件(jian)。 第(di)三(san)(san)代(dai)功率(lv)半導體(ti)與現有高端產(chan)品,在材(cai)料/結構/工(gong)藝(yi)/封裝等核心環節,具備明顯的傳承(cheng)性(xing),公司(si)IDM模式下(xia)完全能夠(gou)滿足新材(cai)料器(qi)件(jian)的發(fa)(fa)展需 要,技術向(xiang)上(shang)延伸(shen)水到渠成,高端產(chan)能擴容和技術升級發(fa)(fa)展預期十分強(qiang)烈。
高(gao)門檻行業(ye)龍(long)頭(tou)有望(wang)依(yi)托(tuo)其產業(ye)資(zi)源,提供更關鍵的"產業(ye)服勞(lao)〃。擺(bai)脫以往國外引進和自主培養的傳統模式,實現人才繁榮(rong),是半(ban)導體發展核心動(dong) 因;公司在功(gong)率半(ban)導體領域(yu)50多年的資(zi)源優勢可(ke)謂鳳毛麟角(jiao),有望(wang)帶動(dong) 相關產業(ye)服務,形成集(ji)群(qun)創新發展。
首次覆蓋給(gei)予〃強烈推薦"評級。15-17年(nian)凈利潤預計0.41/0.95/2.05億 元(yuan),EPS 0.06/0.13/0.28元(yuan),同(tong)比増(zeng)速14%/134%/115%。行業(ye)資源整 合趨勢給(gei)予公(gong)司較強內生外延發展預期(qi);軍(jun)工/新(xin)能源亟待突破,高附加值(zhi)(zhi) 產(chan)品持(chi)續優化獲利能力;功率半(ban)導體戰略(lve)新(xin)興格局下,"大行業(ye)小(xiao)公(gong)司"現 狀(zhuang)給(gei)予足夠空間(jian);鑒于未來業(ye)績高成長和PEG考(kao)量,以(yi)及潛在突破行業(ye)估 值(zhi)(zhi)中樞較高,給(gei)予17年(nian)35倍(bei)PE ,第一目標價9.8元(yuan),具長期(qi)投資價值(zhi)(zhi)。 今風(feng)險提示(shi):本土半(ban)導體國產(chan)化替代(dai),以(yi)及新(xin)應用領(ling)域拓展不達預期(qi)的(de)風(feng)險。
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