高端(duan)放量結構升級,積極推(tui)進新(xin)興市場(chang)
2016/10/3 | 來自:董事會秘書處轉自中投證券 孫遠峰,耿琛
中(zhong)投電子觀點:
高端(duan)產品逐步放量(liang),產品結構顯著升級。15年Q4毛(mao)利率(lv)(lv)27.46%,為12年以來(lai)最高的(de)(de)(de)單季毛(mao)利率(lv)(lv),公(gong)司秉(bing)承將功率(lv)(lv)半導體(ti)做強做精的(de)(de)(de)“工匠”精神,推動公(gong)司產品線向高端(duan)領域不斷拓展(zhan),目(mu)前公(gong)司已(yi)掌握(wo)從(cong)高端(duan)事(shi)極管到第六(liu)代IGBT 等各(ge)領域的(de)(de)(de)核心(xin)技術,已(yi)逐步具備向客戶提(ti)供一站式整(zheng)體(ti)解決(jue)方案的(de)(de)(de)能力。公(gong)司在16年Q1加大了新興(xing)市(shi)場(chang)的(de)(de)(de)推廣力度,已(yi)經實現銷售(shou)收入和毛(mao)利率(lv)(lv)的(de)(de)(de)穩步提(ti)升,預計公(gong)司新興(xing)市(shi)場(chang)有望自16年上半年取得突破(po),全年業績仍有保障。
進一步加大對IGBT等高端產品(pin)(pin)研發(fa)(fa)投(tou)入,發(fa)(fa)展(zhan)后(hou)勁十足。15年(nian)公司研發(fa)(fa)投(tou)入占營業收入6%以上,研發(fa)(fa)重點聚焦在(zai)(zai)高世代IGBT、COOLMOS以及TRENCH SBD等高尖端產品(pin)(pin),目前已在(zai)(zai)高端功率半導體核心技術取得較大突破,新產品(pin)(pin)已經逐(zhu)步投(tou)放市場,隨著公司新的(de)(de)產品(pin)(pin)逐(zhu)漸量產,公司的(de)(de)發(fa)(fa)展(zhan)后(hou)勁得到了有力保(bao)障。
持(chi)續加強工(gong)(gong)(gong)藝(yi)平臺(tai)建設(she),工(gong)(gong)(gong)藝(yi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)轉化(hua)(hua)能(neng)力(li)(li)進(jin)(jin)一步增強。對(dui)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)的(de)(de)掌控(kong)能(neng)力(li)(li)是功率半導體企業持(chi)續發展的(de)(de)核心競爭力(li)(li),公司在原有技(ji)(ji)術(shu)(shu)積(ji)累的(de)(de)基礎上不(bu)斷進(jin)(jin)行工(gong)(gong)(gong)藝(yi)優化(hua)(hua),目前已實(shi)現 4 英(ying)寸(cun)線(xian)對(dui) BJT、放(fang)電管、可控(kong)硅產(chan)品工(gong)(gong)(gong)藝(yi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)平臺(tai)的(de)(de)整(zheng)合(he)不(bu)優化(hua)(hua),五英(ying)寸(cun)線(xian)對(dui)平面、TRENCH 高端事(shi)極管、CMOS 工(gong)(gong)(gong)藝(yi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)平臺(tai)的(de)(de)整(zheng)合(he)不(bu)優化(hua)(hua),六英(ying)寸(cun)線(xian)對(dui) MOSFET、IGBT 工(gong)(gong)(gong)藝(yi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)平臺(tai)的(de)(de)整(zheng)合(he)與優化(hua)(hua);公司全面的(de)(de)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)技(ji)(ji)術(shu)(shu)“掌控(kong)能(neng)力(li)(li)”已充分體現。
積極(ji)推進第(di)三代新材(cai)料器件的研發、制造,以實現在(zai)功率(lv)半(ban)導體(ti)領(ling)域對國際領(ling)先企(qi)業(ye)的彎道(dao)超車,力(li)爭在(zai)“十三五”末期在(zai)國內(nei)功率(lv)半(ban)導體(ti)器件行(xing)業(ye)中(zhong)率(lv)先進入(ru)國際領(ling)先企(qi)業(ye)行(xing)列,樹立具有國際影響(xiang)力(li)的民族品(pin)牌。
投(tou)資要(yao)點:
公司是專注(zhu)于(yu)設計+材(cai)料創新,以及(ji)(ji)特種工藝的“芯(xin)片級”功率(lv)半導體(ti)龍頭(tou)(tou)企業(ye)(ye),亦是技術(shu)積累(lei)超50年(nian)的A股(gu)稀缺“自(zi)主可控(kong)”標(biao)的。公司憑借長期技術(shu)和市場積累(lei)將實現行(xing)業(ye)(ye)突(tu)破,適逢本(ben)土龍頭(tou)(tou)企業(ye)(ye)投融資熱潮,以及(ji)(ji)英飛凌等國際同業(ye)(ye)龍頭(tou)(tou)高速發(fa)展(zhan)的“黃金周期”;實際控(kong)制人更替和股(gu)權激勵(li)計劃表(biao)征內部治理告一(yi)段落,預計迎(ying)來可持續(xu)的高速發(fa)展(zhan)周期。
高成(cheng)長(chang)行(xing)業爆(bao)發和(he)自(zi)主可(ke)控,綜(zong)合催生(sheng)IGBT/智能模塊(kuai)(kuai)IPM 等高端(duan)功率半導(dao)體(ti)飛速成(cheng)長(chang)。新能源汽車及(ji)其充(chong)電(dian)設備(bei)對(dui)IGBT 類芯片和(he)模塊(kuai)(kuai)產(chan)品需求(qiu)旺(wang)盛(sheng)(sheng),功率模塊(kuai)(kuai)成(cheng)本(ben)占比高達(da)約10%,僅本(ben)土需求(qiu)即達(da)600億(yi)元(yuan)規模;歷叱(chi)上,公司曾為國家(jia)軍工行(xing)業相關建(jian)設提供堅強保障(zhang)和(he)支撐,現今,在高端(duan)武器(qi)裝(zhuang)備(bei)電(dian)磁(ci)化發展趨勢(shi)明顯下,國產(chan)替代實(shi)現自(zi)主可(ke)控已迫在眉(mei)睫(jie);公司能力(li)已達(da)國際(ji)水平(ping),并具備(bei)稀(xi)缺的(de)“實(shi)際(ji)量產(chan)落地”能力(li),預(yu)計將依托旺(wang)盛(sheng)(sheng)需求(qiu),實(shi)現高附加值產(chan)品放量,盈利水平(ping)將獲(huo)得快速提升。
第三代(dai)(dai)功率器(qi)(qi)件迎(ying)巨(ju)大潛在市(shi)場,公(gong)司具備迎(ying)接(jie)新機(ji)遇的充足(zu)主客觀條件。第三代(dai)(dai)功率半導體(ti)不(bu)現有(you)高端產品(pin),在材料/結構/工藝/封(feng)裝等核心環節,具備明顯(xian)的傳(chuan)承性,公(gong)司IDM 模式下(xia)完全能夠滿足(zu)新材料器(qi)(qi)件的發展(zhan)需要,技術向上延伸水(shui)到(dao)渠(qu)成,高端產能擴容和技術升級(ji)發展(zhan)預(yu)期十分強(qiang)烈。
給(gei)予”強(qiang)烈推薦“評級,目標(biao)價12.3 元(yuan)(yuan)。16-18 年凈利潤預(yu)計(ji)0.95/2.05/3.50億元(yuan)(yuan),EPS 0.13/0.28/0.47元(yuan)(yuan),同(tong)比增速121%/115%/71%。行(xing)業(ye)(ye)資源整合(he)趨(qu)勢(shi)給(gei)予公司較(jiao)強(qiang)內生(sheng)外延發展預(yu)期;軍工(gong)/新能源亟待突(tu)(tu)破(po),高(gao)附加值產品持續優化獲利能力;功率(lv)半導體戓略新興格局下,“大行(xing)業(ye)(ye)小公司”現(xian)狀給(gei)予足夠空間;鑒二未來業(ye)(ye)績高(gao)成長和PEG考(kao)量,已經呈現(xian)銷售收入和毛利率(lv)提升的趨(qu)勢(shi),以及潛在突(tu)(tu)破(po)行(xing)業(ye)(ye)估(gu)值中樞(shu)較(jiao)高(gao),給(gei)予17年44倍PE,目標(biao)價12.3元(yuan)(yuan),具長期投資價值。
風險(xian)提(ti)示:本(ben)土半導體國(guo)產(chan)化(hua)替代,以(yi)及(ji)新應(ying)用領域拓展不達(da)預期的風險(xian)。