高端功率半導體不斷取得突破，有望進入汽車領域

                                                                                    中投證券(quan) 孫遠(yuan)峰,耿琛,張雷,張磊

       中投電(dian)子觀(guan)點： 

高端產品逐步放(fang)量(liang)(liang)，產品結構顯著(zhu)升級(ji)，有望進軍汽(qi)(qi)車(che)領(ling)域。16 年(nian)H1 毛利率23.78%，同比增1.3pct，公(gong)(gong)司(si)秉承將功(gong)率半導體做強做精(jing)(jing)的(de)“工匠”精(jing)(jing)神(shen)，推動(dong)公(gong)(gong)司(si)產品線向第六代(dai)IGBT 等高端領(ling)域不(bu)斷(duan)拓(tuo)展，目前已逐步具備向客戶(hu)提供一站(zhan)式整體解決方案的(de)能力。公(gong)(gong)司(si)上半年(nian)順利通(tong)過了(le) TS16949 體系認(ren)證（全稱是(shi)“ 質量(liang)(liang)管理體系－汽(qi)(qi)車(che)行業生產件與相關服(fu)務件的(de)組織實施ISO9001： 2008 的(de)特殊要求” ） ，該體系認(ren)證的(de)通(tong)過，為公(gong)(gong)司(si)進軍汽(qi)(qi)車(che)領(ling)域奠定了(le)基(ji)礎，使公(gong)(gong)司(si)專國際(ji)知名(ming)企業站(zhan)在(zai)同一競爭平臺(tai)，公(gong)(gong)司(si)未來(lai)有望深度受益新能源(yuan)汽(qi)(qi)車(che)爆發的(de)產業趨勢(shi)。

事業部改革加速推進(jin)(jin)(jin)，進(jin)(jin)(jin)一(yi)步(bu)加大(da)對(dui)IGBT 等高(gao)端產(chan)(chan)品研發(fa)投入(ru)，發(fa)展后(hou)勁十(shi)足。公司上半(ban)年(nian)持續推進(jin)(jin)(jin)事業部改革，IGBT 產(chan)(chan)品團(tuan)(tuan)隊重(zhong)點(dian)推進(jin)(jin)(jin)第(di)六代(dai)IGBT 以及 MOS 產(chan)(chan)品的系列化(hua)(hua)工(gong)作；高(gao)端二極管團(tuan)(tuan)隊重(zhong)點(dian)推進(jin)(jin)(jin) TRENCHSBD、 FRD 產(chan)(chan)品的系列化(hua)(hua)工(gong)作；雙極產(chan)(chan)品團(tuan)(tuan)隊重(zhong)點(dian)推進(jin)(jin)(jin)中高(gao)端應(ying)(ying)用 SCR、放電(dian)管產(chan)(chan)品的系列化(hua)(hua)工(gong)作。通過進(jin)(jin)(jin)一(yi)步(bu)推進(jin)(jin)(jin)模塊(kuai)技(ji)術向(xiang)高(gao)端應(ying)(ying)用領(ling)域(yu)拓(tuo)展，公司實現(xian)了技(ji)術推廣由芯片(pian)向(xiang)模塊(kuai)延伸，由單一(yi)產(chan)(chan)品向(xiang)解(jie)決方案延伸，最大(da)化(hua)(hua)發(fa)揮在技(ji)術領(ling)域(yu)的綜合優(you)勢，快速實現(xian)對(dui)重(zhong)點(dian)目標應(ying)(ying)用領(ling)域(yu)的拓(tuo)展工(gong)作。隨(sui)著公司新的產(chan)(chan)品逐(zhu)漸量產(chan)(chan)，公司的發(fa)展后(hou)勁得到了有力(li)保障(zhang)，全年(nian)業績(ji)仍有保障(zhang)。

持(chi)續(xu)加強工(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)(yi)平(ping)(ping)(ping)臺(tai)建設，工(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)(yi)技(ji)(ji)(ji)術(shu)轉化(hua)能力進一步增強。對(dui)工(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)(yi)技(ji)(ji)(ji)術(shu)的(de)(de)掌(zhang)控能力是功率半導體企業持(chi)續(xu)發展的(de)(de)核(he)心(xin)競爭力，公司(si)(si)在原有技(ji)(ji)(ji)術(shu)積累(lei)的(de)(de)基礎上不斷進行工(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)(yi)優(you)(you)化(hua)，目前已實現(xian) 4 英(ying)(ying)寸(cun)線(xian)(xian)(xian)對(dui) BJT、放電(dian)管、可(ke)控硅產品工(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)(yi)技(ji)(ji)(ji)術(shu)平(ping)(ping)(ping)臺(tai)的(de)(de)整合(he)與(yu)優(you)(you)化(hua)，五(wu)英(ying)(ying)寸(cun)線(xian)(xian)(xian)對(dui)平(ping)(ping)(ping)面、TRENCH 高端二極管、CMOS 工(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)(yi)技(ji)(ji)(ji)術(shu)平(ping)(ping)(ping)臺(tai)的(de)(de)整合(he)與(yu)優(you)(you)化(hua)，六(liu)英(ying)(ying)寸(cun)線(xian)(xian)(xian)對(dui) MOSFET、IGBT 工(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)(yi)技(ji)(ji)(ji)術(shu)平(ping)(ping)(ping)臺(tai)的(de)(de)整合(he)專優(you)(you)化(hua)；公司(si)(si)全(quan)面的(de)(de)工(gong)(gong)藝(yi)(yi)(yi)(yi)技(ji)(ji)(ji)術(shu)“掌(zhang)控能力”已充(chong)分(fen)體現(xian)。

積極(ji)推進第三(san)代新材料器(qi)(qi)件(jian)的(de)(de)研發、制造，以實現(xian)在功(gong)率半導(dao)(dao)體領域(yu)對國(guo)際領先(xian)企業的(de)(de)彎道超車，力(li)爭在“十三(san)五”末期(qi)在國(guo)內(nei)功(gong)率半導(dao)(dao)體器(qi)(qi)件(jian)行(xing)業中率先(xian)進入(ru)國(guo)際領先(xian)企業行(xing)列，樹立具有國(guo)際影(ying)響(xiang)力(li)的(de)(de)民(min)族品牌(pai)。

投(tou)資要點：

公(gong)司(si)是且注于設計(ji)+材料創(chuang)新(xin)，以及特(te)種工藝的(de)(de)(de)“芯片級”功(gong)率半導(dao)體龍頭(tou)(tou)企(qi)業(ye)(ye)(ye)，亦是技(ji)術積累(lei)超50 年的(de)(de)(de)A 股(gu)稀缺“自主可控”標的(de)(de)(de)。公(gong)司(si)憑借長期(qi)技(ji)術和(he)市場(chang)積累(lei)將實(shi)現行業(ye)(ye)(ye)突破(po)，適逢(feng)本土龍頭(tou)(tou)企(qi)業(ye)(ye)(ye)投(tou)融資熱潮(chao)，以及英飛凌(ling)等國際(ji)(ji)同業(ye)(ye)(ye)龍頭(tou)(tou)高(gao)速(su)發(fa)(fa)展的(de)(de)(de)“黃(huang)金周(zhou)(zhou)期(qi)”；實(shi)際(ji)(ji)控制人更替(ti)和(he)股(gu)權激勵計(ji)劃表(biao)征(zheng)內部治(zhi)理告(gao)一段落，預計(ji)迎(ying)來可持續的(de)(de)(de)高(gao)速(su)發(fa)(fa)展周(zhou)(zhou)期(qi)。

高(gao)(gao)成長行(xing)業(ye)爆發和自主(zhu)可控，綜合催生IGBT/智能(neng)模(mo)塊IPM 等(deng)高(gao)(gao)端功率半導體飛速成長。新(xin)能(neng)源(yuan)汽車及其充電設(she)備(bei)對IGBT 類芯片和模(mo)塊產(chan)品需(xu)(xu)求(qiu)旺(wang)盛(sheng)，功率模(mo)塊成本占比高(gao)(gao)達(da)約10%，僅本土需(xu)(xu)求(qiu)即達(da)600 億元視模(mo)；歷(li)史上(shang)，公司曾為國(guo)家(jia)軍工(gong)行(xing)業(ye)相關建(jian)設(she)提供堅強保(bao)障(zhang)和支撐，現今(jin)，在高(gao)(gao)端武器(qi)裝備(bei)電磁(ci)化發展趨勢明顯(xian)下，國(guo)產(chan)替(ti)代實現自主(zhu)可控已(yi)迫在眉(mei)睫；公司能(neng)力(li)已(yi)達(da)國(guo)際水平，并具備(bei)稀(xi)缺的“實際量產(chan)落(luo)地(di)”能(neng)力(li)，預計將(jiang)依(yi)托(tuo)旺(wang)盛(sheng)需(xu)(xu)求(qiu)，實現高(gao)(gao)附加值產(chan)品放量，盈利水平將(jiang)獲得快速提升。

第三代(dai)功率(lv)器(qi)件迎(ying)巨大潛在(zai)市(shi)場(chang)，公司具備迎(ying)接新機遇的充足主客(ke)觀條(tiao)件。第三代(dai)功率(lv)半(ban)導體與(yu)現有高端產品，在(zai)材(cai)料(liao)/結構/工(gong)藝/封(feng)裝(zhuang)等核心環(huan)節(jie)，具備明顯的傳承性，公司IDM 模式下完全能(neng)夠滿足新材(cai)料(liao)器(qi)件的發(fa)展需要，技(ji)術(shu)向上延伸水到渠成，高端產能(neng)擴容(rong)和(he)技(ji)術(shu)升級發(fa)展預期十分(fen)強烈(lie)。

高(gao)(gao)端功率(lv)半(ban)導體不斷(duan)取得(de)突破，有望進(jin)入汽車領域(yu).pdf給予(yu)”強烈推薦“評級，目標價(jia)14 元(yuan)(yuan)。16-18 年(nian)凈利潤預(yu)計(ji)0.95/2.05/3.50億元(yuan)(yuan)，EPS 0.13/0.28/0.47 元(yuan)(yuan)，同(tong)比(bi)增速121%/115%/71%。行(xing)業資源整合(he)趨勢給予(yu)公(gong)司較(jiao)強內(nei)生外延發(fa)展預(yu)期；軍(jun)工/新(xin)(xin)能源亟待突破，高(gao)(gao)附加值產(chan)品持續優(you)化(hua)獲利能力；功率(lv)半(ban)導體戓略(lve)新(xin)(xin)興格局下，“大行(xing)業小(xiao)公(gong)司”現狀給予(yu)足(zu)夠空(kong)間；鑒于未來業績高(gao)(gao)成長(chang)和(he)PEG 考量，已經呈現銷售收入和(he)毛利率(lv)提升的趨勢，以及潛在(zai)突破行(xing)業估值中(zhong)樞較(jiao)高(gao)(gao)和(he)標的的稀缺性，給予(yu)17 年(nian)50 倍(bei)PE，目標價(jia)14 元(yuan)(yuan)，具長(chang)期投資價(jia)值。

風(feng)險提示(shi)：本土半導體國產化替(ti)代，以及(ji)新(xin)應用(yong)領域拓展不(bu)達預(yu)期的風(feng)險。 

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