華微電子(zi):事業部改革持(chi)續深入，高(gao)端產品有望取得突破 

                                                                                                                       中投證券 調研報告

事件：公(gong)司發(fa)布公(gong)告,16年QI—Q3營業(ye)收入9.61億(yi)元,同比(bi)增長3.65%,凈利潤(run)3796萬元,同比增(zeng)長(chang)35.58%。

中投(tou)電子(zi)觀點:

事(shi)業部改革(ge)加速推動高端(duan)產(chan)品放量(liang),進(jin)一步加(jia)大對IGBT等高端產品研(yan)發(fa)投入，發展后勁十足(zu)。今年以來公司持續推(tui)進(jin)事業部改革，IGBT產(chan)品團(tuan)隊(dui)重點(dian)推進第六代IGBT以及MOS產品的(de)系列(lie)化工(gong)作：高端二(er)極(ji)管團隊(dui)重點推進(jin)TRENCH SBD、 FRD產(chan)品的系(xi)列化工作:雙(shuang)極(ji)產品團隊(dui)重點推進中高端應用SCR、放電管產品的系列化工(gong)作。通過(guo)進一(yi)步推進模塊技術向高端應用領域拓展,公司實(shi)現了技術推廣由(you)(you)芯(xin)片向(xiang)模(mo)塊延(yan)伸，由(you)(you)單一產品向(xiang)解(jie)決方案延(yan)伸,最大化(hua)發揮在技(ji)術(shu)領域(yu)的綜合優(you)勢,快(kuai)速實現(xian)對(dui)重(zhong)點目(mu)標應(ying)用領域的拓(tuo)展工作。 隨著公司新的產品逐漸量產,公司的發展后勁得(de)到了有力(li)保障,全(quan)年業績仍有保障(zhang)。

持續加強工藝平臺建設,工藝技術轉化能力(li)進一步增強。對工藝技術的(de)掌(zhang)控能力(li)是功率半(ban)導體企(qi)業持續(xu)發展(zhan)的(de)核(he)心競爭力(li)，公司在原有技術積(ji)累的(de)基礎上不斷進(jin)行工藝優化，目前已實現4英寸線(xian)對BJT、放電管、可控(kong)硅產品工藝技術平臺的整(zheng)合與優化,五英寸(cun)線對平(ping)面、TRENCH高端二極管、CMOS工藝技術平臺的整合與優化，六英寸線對MOSFET.IGBT工藝技術平(ping)臺的整合與優化:公(gong)司全(quan)面的(de)工(gong)藝技(ji)術(shu)“掌控能(neng)力(li)”已充分體現(xian)。

積極(ji)推進第(di)三(san)代新材料(liao)器件的研發.制造,以實現在功率半導體領(ling)域(yu)對國(guo)際領(ling)先企(qi)業的(de)彎道超車,力爭(zheng)在“十三五”末期在國內功率半導體器件行(xing)業(ye)中(zhong)率先進入國際領先企業(ye)行(xing)列,樹立(li)具有國際(ji)影響力的民族品牌。

投資要點:公司是專注于設計(ji)+材料創新,以及特(te)種工藝的“芯片級”功(gong)率半導體龍頭企(qi)業(ye),亦是技術(shu)積累超(chao)50年的稀缺(que)“自主可控”標的。公司憑(ping)借長期(qi)技術和(he)市場積累將實現(xian)行業突(tu)破(po),適逢本土(tu)龍頭企業投融(rong)資熱潮,以及英(ying)飛凌等(deng)國際同業龍(long)頭高速發展的“周期”;實際(ji)控制人(ren)更替和股權激勵計劃表征內部治理告一段落,預計(ji)迎來可持(chi)續的(de)高(gao)速(su)發展周(zhou)期。

高成長行業爆發和自主(zhu)可控,綜(zong)合催(cui)生IGBT/智能模塊(kuai)IPM等高端功率半導體飛速成長。汽車及(ji)其充電(dian)設(she)備對IGBT類芯片和模塊產品需(xu)求旺盛,功率(lv)模塊(kuai)成(cheng)本占比高達約10%,僅本土需(xu)求即達600億元規(gui)模歷史上,公司(si)曾為國家(jia)軍(jun)工(gong)行業相關(guan)建設提供堅(jian)強保障和支撐,現今,在高(gao)端武器裝備電(dian)磁化發(fa)展趨勢明顯下,國(guo)產替代實(shi)現自(zi)主可控已迫(po)在眉睫;公司能力已達國際水平,并具備稀缺的“實際量產落(luo)地”能力,預計將(jiang)依托旺盛需求(qiu),實現高(gao)附加值產品(pin)放量,盈利(li)水平將獲得快速提升。第三代功率器(qi)件迎巨大潛在市場,公司具備迎接的充足(zu)主客(ke)觀條(tiao)件。

第三代功率半(ban)導體與現有高端產品(pin),在材料/結構(gou)/工(gong)藝/封裝等(deng)核心環節(jie),具備明顯的傳(chuan)承性,公司IDM模式下完全能夠(gou)滿足新材料器件(jian)的發(fa)展需(xu)要(yao),技術向上(shang)延伸水到(dao)渠成(cheng),高端(duan)產(chan)能擴容和(he)技術升級發展預期十(shi)分強(qiang)烈。

給予”強烈推(tui)薦“評級(ji)目(mu)標價14元。16-18年凈利潤預計0.95/2.05/3.50 億元,EPS 0.13/0.28/0.47元,同比增速121%/115%/71%。行業資源整合趨(qu) 勢給予(yu)公司較強(qiang)內生外(wai)延發展預期;軍工/新能源亟待(dai)突破,高附(fu)加值產品持續 優化獲利能力;功率(lv)半導體戰(zhan)略(lve)新(xin)興格局(ju)下,“大行業小公司(si)”現狀(zhuang)給(gei)予足夠(gou)空 間;鑒于未來業績高成PEG考量,已經呈(cheng)現(xian)銷售(shou)收(shou)入和毛利率(lv)提升的(de)趨勢,以及潛在突破行業估值中樞較高和(he)標的的稀缺性,給予17年50倍(bei)PE,目(mu)標 價14元,具長期投資價值(zhi)。

風險(xian)提示(shi):本土(tu)半導體國產化替(ti)代,以及(ji)新應用領域拓展(zhan)不(bu)達預期(qi)的風(feng)險。