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科研

20101117 一種半導(dao)體(ti)功率器件(jian)用襯底(di)硅片及其制造工(gong)藝專利(li)

2011/12/7 | 來自:

2010年(nian)11月(yue)17日 獲得 一種(zhong)半導體(ti)功率器件用襯底(di)硅片(pian)及其制(zhi)造工藝專利(li)  專利(li)號:  ZL 2008 1 0205212.8

 

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